Futurasun aus Italien präsentiert ein neues Modul auf N-Typ-Basis – zum ersten Mal mit Heterojunction-Technologie. Sie kombiniert die Eigenschaften von monokristallinem Silizium mit siliziumbasierter Dünnschichttechnik (amorphes Silizium).
Quelle: photovoltaik RSS-Newsfeed von www.photovoltaik.eu